SiC晶種籽晶碳化硅長(zhǎng)晶晶片襯底半導(dǎo)體專用籽晶 

產(chǎn)品介紹:


       SiC的物理和電學(xué)屬性使其成為短波長(zhǎng)光電、高溫、耐輻射、高功率/高頻率電子器件的首選半導(dǎo)體材料。然而生長(zhǎng)優(yōu)質(zhì)的SiC單晶非常困難，其中第一要素就取決于SiC晶種的品質(zhì)。晶種的類型、表面性質(zhì)和吸附變化極大地影響著SiC晶體的生長(zhǎng)類型、缺陷結(jié)構(gòu)以及電學(xué)性質(zhì)等等。


       合能陽(yáng)光提供的SiC晶種，可充分滿足不同需求的客戶，優(yōu)質(zhì)的晶種品質(zhì)為客戶SiC長(zhǎng)晶的成品率與晶片質(zhì)量提供了可靠的保障。


標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)參數(shù)：


型號(hào)：4H-N/Si  6H-N/Si


等級(jí)：工業(yè)級(jí)   研究級(jí)


 直徑：2寸  4寸 
6寸


 厚度：330 μm±25μm   500μm±25μm  


 晶片方向：Off axis : 4.0° toward<1120> ±0.5° for 4H-N  On axis : <0001>±0.5° for 4H-Si


微管密度： ≤ 5 cm -2


電阻率范圍：0.0015-0.1Ω·cm


主定位邊方向：{10-10}±5.0°


次定位邊方向：Silicon
face up: 90° CW. from Prime flat ±5.0°


邊緣去除：2mm


局部厚度變化/彎曲度/翹曲度：≤ 4μm/ ≤ 10μm / ≤ 25μm / ≤ 35μm


表面粗糙度 ：拋光Ra ≤ 1 nm  清洗 Ra ≤ 0.5 nm


裂紋（強(qiáng)光觀測(cè)）：無(wú)       


六方空洞（強(qiáng)光燈觀測(cè)）：面積 ≤ 0.05%


多型(強(qiáng)光燈觀測(cè))：無(wú)


目測(cè)包裹物（日光燈觀測(cè)）：面積 ≤ 0.05%


劃痕(強(qiáng)光燈觀測(cè))： 無(wú)


崩邊：無(wú)


表面污染物（強(qiáng)光燈觀測(cè)）：無(wú)


包裝：真空盒裝                  


 


典型客戶:

美國(guó)，歐洲，亞洲及國(guó)內(nèi)SiC晶體生產(chǎn)和襯底企業(yè)。[本信息來(lái)自于今日推薦網(wǎng)]