自動(dòng)光譜橢偏儀
概述:[中介]光譜橢偏儀(PH-SE型)針對(duì)太陽(yáng)能電池應(yīng)用,可測(cè)量多晶硅/單晶硅絨面表面單層(二層或多層)減反射膜、和玻璃/有機(jī)基底上的薄膜太陽(yáng)能電池。多層膜和非均勻薄膜的分析也非常出色。 針對(duì)太陽(yáng)能電池應(yīng)用的光譜
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肖宗鏞
 
光譜橢偏儀(PH-SE型)針對(duì)太陽(yáng)能電池應(yīng)用,可測(cè)量多晶硅/單晶硅絨面表面單層(二層或多層)減反射膜、和玻璃/有機(jī)基底上的薄膜太陽(yáng)能電池。多層膜和非均勻薄膜的分析也非常出色。 針對(duì)太陽(yáng)能電池應(yīng)用的光譜橢偏儀基于最佳的橢偏光路設(shè)計(jì),高靈敏度探測(cè)單元和光譜橢偏儀分析軟件,可測(cè)量各種太陽(yáng)能電池的薄膜厚度和光學(xué)常數(shù),光學(xué)帶寬等。
光譜橢偏儀 - 產(chǎn)品特點(diǎn)
■ 連續(xù)波長(zhǎng)的光源為用戶提供了更大的應(yīng)用空間
■ 更簡(jiǎn)便快捷的樣品準(zhǔn)直方法
■ 軟件具備豐富的材料數(shù)據(jù)庫(kù)
■ 允許用戶自定義色散模型,更方便用戶研究新材料的光學(xué)性質(zhì)
■ 全波長(zhǎng)多角度同時(shí)數(shù)據(jù)擬合,EMA模型用戶多成分化合物和表面粗糙度分析
■ 具有實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)和模擬數(shù)據(jù)三維繪圖功能
■ 光譜范圍寬達(dá)250 - 1100nm (可擴(kuò)展至250-1700nm)
■ 功能強(qiáng)大的光譜橢偏測(cè)量與分析軟件
光譜橢偏儀 - 技術(shù)指標(biāo)
■ 光源:氙燈
■ 光斑直徑:1-3mm
■ 入射角范圍:20°到90°,5°/步
■ 波長(zhǎng)范圍:350-850nm, 250-1100nm, 250-1700nm:0.002°~ 0.02°
■ 波長(zhǎng)精度:1nm
■ 測(cè)量時(shí)間: < 8s (取決于測(cè)量模式和粗糙度)
■ 樣品尺寸: 125x125mm 156x156mm,200x200mm電池片, 其他尺寸
■ 測(cè)量精度:0.02nm
■ 折射率:0.0002, 100nmSiO2 on Si 
■ 厚度測(cè)量范圍:0.01nm ~ 50um
■ 消光比:10-6
光譜橢偏儀 - 可選配
■ CCD線陣列探測(cè)元件:200-850nm,350-1000nm
■ 樣品顯微鏡
■ 高穩(wěn)定性消色差補(bǔ)償器
■ 透射測(cè)量架
■ XY移動(dòng)樣品臺(tái)[本信息來(lái)自于今日推薦網(wǎng)]
光譜橢偏儀(PH-SE型)針對(duì)太陽(yáng)能電池應(yīng)用,可測(cè)量多晶硅/單晶硅絨面表面單層(二層或多層)減反射膜、和玻璃/有機(jī)基底上的薄膜太陽(yáng)能電池。多層膜和非均勻薄膜的分析也非常出色。 針對(duì)太陽(yáng)能電池應(yīng)用的光譜橢偏儀基于最佳的橢偏光路設(shè)計(jì),高靈敏度探測(cè)單元和光譜橢偏儀分析軟件,可測(cè)量各種太陽(yáng)能電池的薄膜厚度和光學(xué)常數(shù),光學(xué)帶寬等。
光譜橢偏儀 - 產(chǎn)品特點(diǎn)
■ 連續(xù)波長(zhǎng)的光源為用戶提供了更大的應(yīng)用空間
■ 更簡(jiǎn)便快捷的樣品準(zhǔn)直方法
■ 軟件具備豐富的材料數(shù)據(jù)庫(kù)
■ 允許用戶自定義色散模型,更方便用戶研究新材料的光學(xué)性質(zhì)
■ 全波長(zhǎng)多角度同時(shí)數(shù)據(jù)擬合,EMA模型用戶多成分化合物和表面粗糙度分析
■ 具有實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)和模擬數(shù)據(jù)三維繪圖功能
■ 光譜范圍寬達(dá)250 - 1100nm (可擴(kuò)展至250-1700nm)
■ 功能強(qiáng)大的光譜橢偏測(cè)量與分析軟件
光譜橢偏儀 - 技術(shù)指標(biāo)
■ 光源:氙燈
■ 光斑直徑:1-3mm
■ 入射角范圍:20°到90°,5°/步
■ 波長(zhǎng)范圍:350-850nm, 250-1100nm, 250-1700nm:0.002°~ 0.02°
■ 波長(zhǎng)精度:1nm
■ 測(cè)量時(shí)間: < 8s (取決于測(cè)量模式和粗糙度)
■ 樣品尺寸: 125x125mm 156x156mm,200x200mm電池片, 其他尺寸
■ 測(cè)量精度:0.02nm
■ 折射率:0.0002, 100nmSiO2 on Si 
■ 厚度測(cè)量范圍:0.01nm ~ 50um
■ 消光比:10-6
光譜橢偏儀 - 可選配
■ CCD線陣列探測(cè)元件:200-850nm,350-1000nm
■ 樣品顯微鏡
■ 高穩(wěn)定性消色差補(bǔ)償器
■ 透射測(cè)量架
■ XY移動(dòng)樣品臺(tái)[本信息來(lái)自于今日推薦網(wǎng)]

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